随着2D NAND制程发展瓶颈的凸显，2016下半年Flash原厂除了3D NAND专用新工厂陆续进入量产阶段外，3D技术堆叠层数更是向64层或以上发展，而更大容量和更低成本的3D NAND也让原厂加快了3D NAND投产的步伐，市场竞争也急剧白热化。
2016年三星主要是扩大48层3D NAND量产，并在年底前出货64层3D NAND，预计在2016年底三星3D NAND生产比重可提升至40%。东芝也已送样64层3D NAND，美光则计划下一代3D技术略过48层，直接跳到64层，SK海力士48层3D NAND已给客户送样，计划在2016年底完成72层3D NAND研发，意图超过其他竞争对手。
三星最早在2013年量产24层3D NAND，如今其他厂商3D技术都将迎头赶上，市场又对高容量SSD以及大容量手机存储需求增加，三星势必将扩大3D NAND投入，已稳固在3D NAND市场的领先地位。
三星不仅有大陆西安3D NAND专用工厂，而且已将Fab 16产线改产48层3D NAND。近日据Digitimes报道称，三星投资2.5兆韩元(约22.53亿美元)进行韩国华城工厂产线的建设，并与设备厂商签订供应合约，目标2016年底启动17产线。
据韩国经济报导，三星电子日前已决定购买硬遮罩蒸镀设备，将用于华城Fab 17产线生产3D NAND。相关业内人士表示，已与三星做了口头约定，将供应Fab 17产线设备。
随着3D技术堆叠层数的增加，不仅容量呈现翻倍的增长，成本亦可持续性下滑，三星、东芝、美光、SK海力士等进入3D NAND时代，可谓谱写了NAND Flash发展新篇章。中国闪存市场ChinaFlashMarket预计2016年3D NAND将占整体NAND Flash产能的15%，2017年将提高到30%，逐步成为主流应用。