东芝(Toshiba)18日公布了2016年度(2016年4月-2017年3月)营运计划，将聚焦增长型业务，扩大在Memory业务上的投资，并加快BiCS Flash(3D NAND)的发展，实现所有业务的稳步增长。
之前东芝新闻稿指出，将投资3600亿日元建一座半导体工厂，用于生产BiCS Flash(3D NAND)，预计新厂房将在2018年完工。东芝在2016年度规划报告中又指出，将在2016年度-2018年度的3年间总计投资约8600亿日元扩大生产，除兴建3D Flash新厂房之外，还将对现有厂房进行设备更新，以提高BiCS Flash的生产比重。
在3D技术上，三星最早投入3D NAND技术生产，预计2016年扩大48层3D NAND量产，并规划在年底实现64层3D NAND量产。东芝曾认为，3D技术在32层堆叠阶段，与主流的2D NAND没有成本竞争力。但随着3D 技术向48层发展，NAND Flash Die容量增加至256Gb，成本优势凸显，而且市场对大容量存储和SSD需求增加，因此东芝加快3D技术发展的进程。
东芝报告中指出，第二代BiCS Flash将在2016年开始大规模量产，第三代BiCS Flash将在2016上半年样品开始送样，以提高市场竞争力。另外，东芝改建的Fab 2工厂在2016年Q1完工，随着设备的到位，将开始投入BiCS Flash生产。
据中国闪存市场网ChinaFlashMarket 数据显示，2015年NAND Flash综合价格指数累积跌幅高达35%，2016年初市场需求复苏迟缓，再加上Q1传统销售淡季影响，累积2个多月价格指数跌幅达3%。
对于闪存产品价格持续下滑的Memory市况，东芝认为尽管2016上半年的销售价格有所下降，但是销售量会随着市场对存储容量的增加而增长，而且市场对SSD需求持续增加，将有助于营收获利。
同时，东芝还将扩张电力设备、工业用设备和自动化领域，预计2016年净销售额将较2015年增加20%，而HDD产品线将扩大在企业级和近线存储应用，预计2016年净销售额将较2015年增加30%。
另外，东芝计划藉由招募自愿提早退休、出售事业等措施，于2016年度末(2017年3月底)将集团全球员工人数缩减至18.3万人，较2014年度末的21.7万人大减3.4万人。